本文標(biāo)題："材料檢測顯微鏡廠家-上海精密光學(xué)測量儀"
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有數(shù)種不同形式的SAM量子結(jié)構(gòu)，
其中之一是在成長時in situ的合成橫向超晶格(lateral superlattice)。
此可采用
(1)合金的原子有序排列導(dǎo)致低能隙帶和高能隙帶區(qū)域，例GaInP，
(2)以step-flow成長模式沈積單層材料在階段表面上，例雷射結(jié)構(gòu)的量子線的傾斜超晶格(tilted superlattice)。
具無缺陷的三度空間的SAM島型特征的量子點(diǎn)InGaAs/GaAs可以應(yīng)變層磊晶成長(strained layer epitaxiy) SAM制備。
在成長期間，沉積物以二度空間方式成長，直到轉(zhuǎn)變發(fā)生才開始三度空間生長
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