本文標(biāo)題："光學(xué)顯微鏡對(duì)焦工件測(cè)量邊緣區(qū)域-上光儀器"

我們透過(guò)光學(xué)顯微鏡監(jiān)視洗淨(jìng)后的邊緣偏移區(qū)域。圖三顯示晶圓邊緣的SEM截面圖。由于光學(xué)顯微鏡沒(méi)有對(duì)焦在邊緣區(qū)域，因此僅在晶圓的平坦區(qū)域量測(cè)邊緣蝕刻的距離。

因素效應(yīng)：圖四顯示各種因素效應(yīng)對(duì)溼式邊緣蝕刻的影響，表一列出田口法L9 DOE的各項(xiàng)因素。根據(jù)我們的觀察，在特定的化學(xué)制劑下，晶圓轉(zhuǎn)速對(duì)斜邊邊緣距離有大的影響力。

轉(zhuǎn)速與0.35至1.2mm邊緣偏移區(qū)域，兩者之間呈現(xiàn)線性比例關(guān)系。在溼式邊緣與邊緣偏移區(qū)域方面，則與晶圓轉(zhuǎn)速呈反比關(guān)系，轉(zhuǎn)速與向心力的變化有直接關(guān)連。

隨著轉(zhuǎn)速增加，旋轉(zhuǎn)力逐漸下降，意謂著化學(xué)制劑與晶圓接觸的時(shí)間也隨之增加。因?yàn)楸砻鎻埩Φ木壒剩瘜W(xué)制劑有移動(dòng)到晶圓正面的趨勢(shì)，因此化學(xué)制劑相對(duì)的接觸時(shí)間亦隨之增加，

意謂移動(dòng)會(huì)延續(xù)更長(zhǎng)的時(shí)間，也就是進(jìn)一步往晶圓中央移動(dòng)。蝕刻時(shí)間亦觀察出類似的現(xiàn)象，但沒(méi)有比旋轉(zhuǎn)速度要來(lái)得明顯。在觀察的范圍與化學(xué)制劑中，

如同我們的預(yù)測(cè)，晶圓移動(dòng)與N2流速對(duì)于邊緣偏移區(qū)域的影響程度較不明顯。在這個(gè)實(shí)驗(yàn)中，HF流速與HF是固定不變，因此沒(méi)有測(cè)試相對(duì)的效應(yīng)。

佳狀況：圖五顯示在一個(gè)晶圓邊緣上12個(gè)連續(xù)等距位置所拍下的光學(xué)顯微鏡影像。圖中亦顯示制程條件，這些條件是從DOE分析所得到的佳狀態(tài)，

在這里代表佳方法BKM。這些設(shè)定對(duì)映至均勻邊緣偏移0.7±0.2 mm(我們的目標(biāo)為：0.7±0.3 mm)。這些在有進(jìn)行晶圓移動(dòng)與沒(méi)有進(jìn)行晶圓移動(dòng)的條件，在均勻的消除薄膜制程中都是必要的因素。

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光學(xué)顯微鏡對(duì)焦工件測(cè)量邊緣區(qū)域-上光儀器,熒光顯微鏡現(xiàn)貨供應(yīng)