本文標(biāo)題："用多光束干涉法測(cè)得黑色蝕抗所描出的滑動(dòng)痕跡"

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用多光束干涉法測(cè)得黑色蝕抗所描出的滑動(dòng)痕跡

     位錯(cuò)蝕抗往往保持六方形，取向的那些蝕抗有時(shí)會(huì)顯露
出細(xì)小的二次邊緣，特別是長(zhǎng)時(shí)間腐蝕之后。位錯(cuò)密度生長(zhǎng)良
好的晶體中的蝕抗位錯(cuò)密度通常是很低的，要極端情況下，位
錯(cuò)密度可能是1-10個(gè)厘米，在其他情況下，由于范性形變可能
多至10厘米，大多數(shù)蝕抗都與卷線無(wú)關(guān)，并且呈現(xiàn)出直線的排
列，因此它們很可能是由于變形的結(jié)果。
     然而，x 射線衍射法表明，許多位錯(cuò)存在于C 面內(nèi)，C 面
內(nèi)的位錯(cuò)密度變動(dòng)于0 到10厘米之間，曾經(jīng)發(fā)現(xiàn)，0.1 厘米那樣
大的面積都沒(méi)有任何位錯(cuò)，因?yàn)槲g抗功或生長(zhǎng)卷線都不能顯露C面
內(nèi)的位錯(cuò)，所以這兩種實(shí)驗(yàn)方法只是補(bǔ)充的方法。
     從蝕抗圖譜測(cè)定滑動(dòng)要素角錐滑動(dòng)面由下述方法測(cè)定，仔細(xì)
觀察照片下部黑色蝕抗所描出的滑動(dòng)痕跡，就可以看出這條蝕抗線
是稍微彎曲的，因?yàn)樵谶@一晶面上同時(shí)形成的其他滑動(dòng)痕跡都是完
全直的，因此可以這樣假定，即攀移沒(méi)有發(fā)生，并且觀察到的彎曲
是因?yàn)楦弑砻嫣蓦A存在產(chǎn)生了表面彎曲的結(jié)果，這種高表面梯階可
以看得很清楚，若滑動(dòng)面不垂直于觀察面，則滑動(dòng)痕跡每橫截梯階
一次時(shí)橫向位移，則可以求得，用多光束干涉法測(cè)得，而則從一張
放大的顯微照片上測(cè)得。

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用多光束干涉法測(cè)得黑色蝕抗所描出的滑動(dòng)痕跡,熒光顯微鏡現(xiàn)貨供應(yīng)

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