本文標(biāo)題："硅集成電路的元件是通過(guò)在芯片不同的區(qū)域形成"

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硅集成電路的元件是通過(guò)在芯片不同的區(qū)域形成

    必須嚴(yán)格控制外延過(guò)程，以使新硅層內(nèi)的缺陷減到少。在
缺陷區(qū)，硅的電氣性能和物理性能都有所下降，從而可能使電路的
工作受到損害。如果襯底品格有缺陷(它們可能是由于原錠內(nèi)的
缺陷或硅片在研磨、.拋光過(guò)程中受到機(jī)械報(bào)傷所引起的)，則外延
層晶格可能隨之出現(xiàn)缺陷。反應(yīng)器內(nèi)的抓化氫腐蝕工藝就是專(zhuān)門(mén)
用來(lái)去除這種機(jī)械受傷層的。如果硅表面存在某一個(gè)適于成核的
作用物，例如‘粒外來(lái)的灰塵，由此而產(chǎn)生的突起物也可能伸展到
外延表面。這種灰粒有的是在硅片放入反應(yīng)器之前掉上去的，有的
是反應(yīng)器不干凈，在淀積過(guò)程中落上的。凸起物有使光刻掩模碰
傷的可能，而且由于掩模和硅片不能緊密接觸，容易引起局部的圖
形失真。所有外延層的缺陷都會(huì)降低硅片的存活率，所以必須使其
減到少。
    固態(tài)擴(kuò)散 如前所述，硅集成電路的電路元件是通過(guò)在芯片
不同的區(qū)域形成n型或p型硅例成的。這道工序采用平面固態(tài)
擴(kuò)散來(lái)完成。所選擇的雜質(zhì)要能在高溫下溶解和擴(kuò)散到被曝光的
硅內(nèi)，但不會(huì)穿透氧化膜。硼是常用的p型雜質(zhì)，而磷、銻和砷則
被用作n型摻雜。
 

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